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131.
132.
孙陈诚%王俊山%胡子君%孙志杰%张佐光 《宇航材料工艺》2007,37(1):51-54
采用有限差分法分析了陶瓷瓦在烧结过程中的温度均匀性,计算结果表明:采用基本模型在烧结过程中温度分布不均匀,与实验结果相符;采用改进模型重新计算,结果显示陶瓷瓦在烧结过程中温度均匀性得到显著改善,进而提出实验修改方案。 相似文献
133.
以3Cr13高熔点合金进行电弧熔射实验,总结了电弧熔射成形的工艺过程,解决了存在的技术难题;分析了熔射成形件的微观组织以及熔射层表面粗糙度的影响因素,提出了改善熔射层质量的途径和措施。 相似文献
134.
韩桂芳%陈照峰%张立同%成来飞%徐永东 《宇航材料工艺》2003,33(5):8-11,20
从基体和纤维的选择、制备工艺等几方面综述了国内外氧化物陶瓷基复合材料的研究现状,着重阐述了溶胶-凝胶法、化学气相渗透法、反应熔体浸渗法、先驱体浸渗热解法、电泳沉积法、浆料浸渗热压和浆料浸渗结合氧化物先驱体浸渗热解法等氧化物基复合材料制备工艺原理及其优缺点。并提出了发展氧化物陶瓷基复合材料应解决的关键问题。 相似文献
135.
对SiC纤维的CVD涂层工艺进行研究.实验发现采用BCl3,H2及CH4作为反应气体,采用与SiC纤维生产工艺相匹配的走丝速度并控制一定的工艺参数,在1350℃左右可得到厚度2~3mm且表面致密的B4C涂层,纤维涂层后性能基本保持不变.仅采用BCl3及CH4作为CVD涂层工艺反应气体,在1180~1250℃即可沉积出表面光滑致密,厚度2~3mm的富碳B4C涂层,涂层后纤维性能可提高10%左右,且涂层与纤维结合强度很高,优于B4C涂层与SiC纤维的结合强度.实验还发现SiC纤维涂覆B4C及富碳B4C涂层后,能有效阻隔界面反应,可大幅提高SiC/Ti基复合材料的性能. 相似文献
136.
张中伟%王俊山%许正辉%李承新 《宇航材料工艺》2007,37(1):58-60
为解决MoSi2和SiC线膨胀系数差异,在带有SiC外涂层的C/C复合材料表面采用等离子喷涂、电弧沉积和固渗等工艺制备MoSi2涂层。涂层表面形貌分析发现,等离子喷涂MoSi2涂层多孔不致密,电弧沉积MoSi2涂层易开裂剥落;而固渗MoSi2涂层致密均匀,且界面结合力好。氧化试验也表明,固渗MoSi2涂层性能较好。 相似文献
137.
138.
139.
140.
GH220/Ti-N/CoCrAlTaY/Al三层复合防护涂层经扩散退火后,各层间结合较好,Ti-N组织稳定,Al全部扩散进入CoCrAlTaY内部,形成β-CoAl相。1000℃时效试验发现,Al内扩散导致CoCrAlTaY分层,形成7个亚层(不包括氧化膜及Ti-N膜),其中包括3个富Ta层、2个高Al及2个正常CoCrAlTaY层。各亚层间界面随时效时间延长而趋于平直、连续、完整。在一些亚层内侧观察到Kirkendal空穴,其形成与元素的外扩散有关。分析了GH220/Ti-N界面扩散区的形成原因,建立了富Ta层形成模型。 相似文献